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MOSFET

Un MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un composant électronique qui se comporte comme une vanne, permettant d'ouvrir ou de fermer un flux d'électricité.

Sommaire
Application
Principe
Abréviations liées aux FET
Remarques
Notes

Application [Modifier]

Un MOSFET fait varier une différence de tensions (en volts). Il ne fait pas varier l'intensité (en ampères) comme le fait une résistance variable.

L'acronyme MOSFET inclut le T de Transistor. Néanmoins dans la pratique, les électroniciens ont l'habitude de considérer que les MOSFET et les transistors forment deux catégories différentes de composants. On peut ajouter une troisième catégorie qui est celle des relais.

  • Un transistor désigne généralement un petit élément noir ayant trois longues pattes, qui agit avec des courants très faibles ou faibles (par exemple, pour une diode).
  • Un MOSFET désigne un composant plus gros et travaillant avec des courants moyens (par exemple, pour un petit moteur).
  • Un relais est un composant qui agit avec des courants plus forts (par exemple pour qu'un flux de 5V ouvre ou ferme un flux de 220V).

Principe [Modifier]

Les MOSFET font partie de la famille des FET (Field Effect Transistor, Transistor à effet de champ), qui sont des transistors unipolaires, qui ne transportent que des charges de type N (comme négative, par exemple les électrons) ou de type P (comme positive, par exemple les ions positifs dans un liquide).

Les FET (dont les MOSFET) ont toujours trois points de contact, appelés :

  • La source (S), par où arrivent les charges (N ou P selon le type FET).
  • Le drain (D), par où sortent les charges.
  • La gate (G) (la traduction devrait être porte, mais on dit toujours grille), qui permet de faire varier le flux entre la source et le drain. Cette variation se produit selon le voltage présent en G.

Abréviations liées aux FET [Modifier]

  • IS est l'intensité du courant qui arrive à la source.
  • ID est l'intensité du courant qui sort du drain.
  • VDS est le voltage, ou la différence de tensions, entre le drain et la source.
  • VGS est le voltage, ou la différence de tensions, entre la gate et la source. VGS est aussi appelé tension de grille.
  • VTH est le voltage, ou la différence de tensions, entre la gate et la source qui est nécessaire pour avoir un flux entre la source et le drain (TH comme threshold ou seuil).

Remarques [Modifier]

Les transistors MOSFET classiques nécessitent généralement une tension de grille additionnelle de 60 mV pour chaque multiplication par 10 du courant de drain, valeur baptisée limite thermionique1.

Les MOSFET sont équipés d'une diode Schottky pour éviter d'avoir un transistor NPN parasitaire dont la base n'est pas connectée. La diode permet la connexion de la base au collecteur.

Notes [Modifier]


Catégorie : Electricité.